场效应管和IGBT的区别，IGBT所有型号大全
IGBT （Insulated Gate Bipolar Transist or ） IGBT是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式电力 半导体 器件， 兼有 MOSFET 的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。 专业名字为绝缘栅双极型功率管 。通俗点说GBT管是有MOS管（场效应管）和双极型 达林顿 管结合而成。将场效应管做为推动管，大功率达林顿管作为输出管。
