MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）是一种常见的半导体器件，它可以通过调节栅极电压来控制漏极和源极之间的电流。下面是有关MOSFET管的GS内部电容及导通原理的详细解释：
1、MOSFET导通的原理是，当栅极电压大于阈值电压时，会在N型沟道中形成电子流，从而使漏极和源极之间的电流流通。而阈值电压是指栅极电压达到一定程度时，N型沟道中的电子才能形成电流。
2、MOSFET的GS内部电容包括输入电容Ciss、输出电容Coss和反向传输电容Crss。其中，输入电容Ciss是由栅极到源极和栅极到漏极的电容组成的，输出电容Coss是由漏极到源极和栅极到漏极的电容组成的，反向传输电容Crss是由栅极到漏极的电容。
3、MOSFET的导通不一定非要接地，只需要栅极电压大于阈值电压即可。一般情况下，阈值电压为4.5V，也就是当GS电容上两端的电压>4.5V，MOSFET就是导通的。
4、MOSFET可以作为开关器件，可以在截止区域和饱和区域之间切换。此外，MOSFET也可以作为放大器，常见的有P通道和N通道两种类型。
5、MOSFET的种类按导电沟道类型可分为P沟道和N沟道，按栅极电压幅值可分为耗尽型和增强型。功率MOSFET主要是N沟道增强型。
6、MOSFET的内部结构包括P型衬底、N型沟道和栅极。沟道的宽度由栅极的电压控制，与极薄的金属氧化物层附近的通道绝缘。MOSFET的耗尽模式和增强模式的切换取决于栅极电压。
